Đăng nhập để tải tài liệu không giới hạn
Tham gia 8.000+ người dùng Thư Viện Luận Án
Viện Khoa học vật liệu
Nguyễn Ngọc Hải
Luận án Nghiên cứu chế tạo và tính chất của các nano tinh thể bán dẫn cấu trúc nhiều lớp CdSe/ ZnSe/ ZnS…
Chuyên ngành: Điện kỹ thuật
Luận án
2014
1Đăng nhập để xem toàn bộ nội dung
Đăng nhập ngayMục lục
1. Lời nói đầu .......................... 3
2. Chương 1: Giới thiệu ............ 7
3. Chương 2: Nội dung nghiên cứu .. 28
4. Kết luận ................................ 70
Nghiên cứu chế tạo và tính chất của các nano tinh thể bán dẫn cấu trúc nhiều lớp CdSe/ZnSe/ZnS, được chức năng hóa bề mặt nhằm ứng dụng chế tạo cảm biến huỳnh quang xác định một số loại thuốc trừ sâu
Vật liệu điện tử
Luận án tập trung vào nghiên cứu chế tạo một số loại chấm lượng tử (QD) trên cơ sở CdSe, bao gồm các cấu trúc hai hoặc ba thành phần, có hoặc không có lớp vỏ bọc. Mục tiêu chính là ứng dụng các QD này để chế tạo cảm biến huỳnh quang nhằm phát hiện dư lượng một số loại thuốc trừ sâu với lượng siêu vết, ở mức độ phần triệu (ppm) trong thực tế. Các kết quả nghiên cứu chính đã đạt được bao gồm:
Đã chế tạo thành công các loại QD như CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdZnSe và CdZnSe/ZnS bằng phương pháp nhiệt phân các tiền chất cơ-kim ở nhiệt độ khoảng 300°C. Các QD này thể hiện khả năng phát quang tốt trong vùng ánh sáng nhìn thấy, với dải bước sóng từ 540 nm đến 640 nm. Đồng thời, có thể điều chỉnh được chiều dày của lớp vỏ ngoài ZnS của lõi QD.
Đã sử dụng các phương pháp vật lý hiện đại như nhiễu xạ tia X, phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS), và hiển vi điện tử truyền qua (TEM) để xác định pha tinh thể, thành phần hóa học, hình dạng và kích thước của các QD đã chế tạo. Các QD này có lõi đơn pha tinh thể lục giác w-CdSe. Khi được bọc vỏ ngoài, giản đồ nhiễu xạ tia X cũng cho thấy pha tinh thể lục giác (w) của lớp vỏ ZnS.
Các tính chất quang học của mẫu QD, bao gồm phổ hấp thụ và phổ phát xạ, đã được khảo sát chi tiết. Điều này cho phép xác định và nghiên cứu sự dịch chuyển của exciton cơ bản 1Se-1S3/2, vốn thay đổi theo kích thước của QD. Hiệu suất lượng tử của một số mẫu cũng đã được đo đạc để đánh giá hiệu quả của phương pháp chế tạo.
Trong cấu trúc CdSe/ZnSe/ZnS, các lớp đệm ZnSe và lớp vỏ ZnS được nhận thấy là không làm thay đổi phổ phát quang của lõi QD CdSe. Thay vào đó, hai lớp vỏ này đóng vai trò bảo vệ sự tái hợp phát xạ của cặp điện tử-lỗ trống (e-h) bên trong QD, đồng thời làm giảm các trạng thái bẫy điện tử trên bề mặt QD. Nhờ đó, cường độ huỳnh quang của các chấm lượng tử được tăng cường đáng kể.
Tải không giới hạn tất cả tài liệu, không cần chờ. Chỉ từ 199.000đ/tháng.
Xem gói hội viên