info@luanan.net.vn
Luận án PDF

Luận án Nghiên cứu các tính chất điện tử, quang học và truyền dẫn của vật liệu graphene hướng tới các ứng dụng điện tử và quang điện tử

Năm2014
Lĩnh vựcKhoa học xã hội
Ngôn ngữTiếng Việt, Tiếng Anh

Mô tả tài liệu

Tên luận án:

“Nghiên cứu các tính chất điện tử quang học và truyền dẫn của vật liệu graphene hướng tới các ứng dụng điện tử và quang điện tử”

Ngành:

Vật lý kỹ thuật Mã số: 62520401

Tóm tắt nội dung tài liệu:

Luận án “Nghiên cứu các tính chất điện tử quang học và truyền dẫn của vật liệu graphene hướng tới các ứng dụng điện tử và quang điện tử” đã đạt được một số kết luận mới quan trọng. Thứ nhất, nghiên cứu đã chỉ ra rằng thế năng vô hướng tuần hoàn trong cấu trúc siêu mạng graphene (GSLs) có khả năng gây ra các trạng thái định xứ điện tử với những đặc điểm khác thường, đó là chúng xuất hiện cả bên ngoài vùng biên độ của thế năng và luôn nhúng trong phổ liên tục của các trạng thái mở rộng. Thứ hai, luận án đã làm rõ những thay đổi về cách thức phản ứng quang học của các màng graphene khi chịu tác động của hàm thế tuần hoàn, thông qua các tính toán về độ dẫn quang. Cụ thể, so với độ dẫn quang nội tại, hàm thế làm suy giảm độ dẫn quang trong miền năng lượng photon từ 0 đến Ub (biên độ hàm thế) và làm cho độ dẫn quang phụ thuộc yếu vào độ phân cực của photon. Tuy nhiên, ở miền năng lượng photon cao hơn Ub, độ dẫn quang của GSLs lại trùng với độ dẫn quang nội tại của graphene. Những hành xử quang học này về bản chất được lý giải là do sự thay đổi trong cấu trúc điện tử của graphene khi nằm trong cấu trúc GSLs. Thứ ba, luận án đã đề xuất một mô hình vật lý chi tiết mô tả liên kết điện tử giữa các nguyên tử carbon của màng graphene và các nguyên tử kim loại. Mô hình này được sử dụng để xác định các tính chất truyền dẫn điện của một số lớp tiếp xúc bề mặt kim loại-graphene điển hình, thường được ứng dụng trong thiết kế linh kiện hoặc mẫu đo graphene nơi kim loại đóng vai trò điện cực. Cuối cùng, một module GFET đã được phát triển trong package OPEDEVS nhằm mục đích nghiên cứu một cấu trúc GFET cụ thể được đề xuất bởi một nhóm nghiên cứu thực nghiệm, dựa trên công nghệ chế tạo “self-alignment” với dây nano GaN thay thế lớp điện môi và điện cực cổng. Tính đúng đắn của module này đã được kiểm tra, và hiện đang tiếp tục khảo sát các hiệu ứng tác động của điện cực và bề mặt đế lên các đặc trưng hoạt động của linh kiện.

Tài liệu liên quan