Đăng nhập để tải tài liệu không giới hạn
Tham gia 8.000+ người dùng Thư Viện Luận Án
PEROVSKITE Cs2SnCl6-xBrx (x = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6): NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO, ĐỘNG HỌC PHONON VÀ TÍNH CHẤT QUANG
Vật liệu điện tử
Luận án tập trung nghiên cứu vật liệu perovskite kép Cs2SnCl6-xBrx (x = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6) nhằm phát triển các vật liệu quang điện mới, thay thế cho các vật liệu perovskite chứa chì có độc tính và độ ổn định kém. Mục tiêu chính là chế tạo các tinh thể kép thay thế halogen, làm rõ ảnh hưởng của gốc halogen đến năng lượng vùng cấm, tính chất quang và dao động mạng tinh thể, đồng thời làm sáng tỏ cơ chế chuyển dời quang học và sự hình thành trạng thái exciton tự bẫy (STE) trong tinh thể Cs2SnBr6.
Công trình đã thành công trong việc chế tạo các hệ vật liệu perovskite kép Cs2SnCl6-xBrx với chất lượng tinh thể tốt và kích thước vùng µm. Các nghiên cứu đã bao gồm tính toán lý thuyết về sự tán sắc và mật độ trạng thái phonon, kết hợp với đo thực nghiệm phổ tán xạ Raman của vật liệu. Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái điện tử của Cs2SnCl6 và Cs2SnBr6 đã được tính toán, xác định vùng cấm trực tiếp tương ứng là 3,56 eV và 2,93 eV, các giá trị này rất gần với kết quả thực nghiệm từ phổ hấp thụ.
Đặc biệt, luận án đã xác định cơ chế phát quang exciton tự bẫy STE trong tinh thể Cs2SnBr6, chỉ ra sự tương tác mạnh giữa điện tử và phonon, dẫn đến phổ huỳnh quang mở rộng và độ dịch Stokes lớn. Các kết quả phổ Raman của Cs2SnCl6-xBrx cho thấy ba mode dao động đặc trưng, và sự xuất hiện các đỉnh mới khi hàm lượng Br tăng cho thấy sự sắp xếp dải ngắn của anion Cl-/Br-. Cuối cùng, luận án cũng chỉ ra hiệu ứng uốn cong vùng cấm với hệ số b = -0,12, chứng tỏ sự giảm nhanh của năng lượng khe vùng khi hàm lượng Br tăng lên, phản ánh ảnh hưởng mạnh mẽ của việc thay thế halogen trong cấu trúc tinh thể.
Tải không giới hạn tất cả tài liệu, không cần chờ. Chỉ từ 199.000đ/tháng.
Xem gói hội viên